再结晶温度:再结晶

再结晶(recrystallization)

经冷变形后的金属在温度作用下，基体中具有大角度晶界的新晶核形成和长大的过程，即静态再结晶。将冷变形金属加热到一定的温度(O．35～O．5了’熔)并停留一段时间，能使变形组织的晶粒重新变成无畸变的新晶粒，同时金属的力学性能也恢复到未受加工前的状态。再结晶过程分为晶核形成、晶核长大和再结晶完成3个阶段(见图)。再结晶有如下几条规律：

(1)如果金属预先承受的变形程度小于某个临界值时，在退火过程中不发生再结晶。

(2)再结晶后晶粒的尺寸同变形程度和原始晶粒大小有很大关系。原始晶粒越小，越能促进晶核的生成，使再结晶晶粒变细。变形程度越大，则经再结晶后新晶粒尺寸越小，分布也越均匀。

(3)再结晶温度随变形程度和退火时间的增加而降低。

(4)对较大的变形量而言，该金属在高温下停留时间长，则会产生粗大的再结晶晶粒，发生晶粒长大过程，甚至可能形成少量的大晶组织，发生二次再结晶。

(5)新晶粒是通过“吞并”其周围变形晶粒而长大的，被吞并的晶粒与形成新晶粒时的晶核之间的点阵取向必须有一定的位相差，否则会因二者间不能发生晶界的迁移以实现相互的结合。

(6)初次再结晶完成后，继续加热会使晶粒进一步长大。

发生再结晶过程的温度受许多工艺因素的影响，如表所列。进一步分析表明，再结晶温度可分为开始温度和终了温度，通常将再结晶达到50％时的温度称为再结晶温度。

测定再结晶温度的方法有直接法和间接法两种。直接法是用金相显微镜直接测定退火过程中试样所生成的再结晶晶粒的百分数，以确定其再结晶温度。此法直观，简便易行，是一种广泛采用的方法。间接法是用X射线衍射法测定再结晶过程中衍射环的变化，也可用硬度、电阻、热电动势、内耗以及释放的变形等物理量的变化来确定再结晶温度。